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什麼是共面度(Coplanarity)?量測方法、影響與常見誤解

什麼是 Coplanarity(共面度)?共面度、共面性(Coplanarity),在電子製造領域通常稱為「端子平坦度」或「引腳平整度」,是指電子元件的焊點(如 IC 封裝的引腳、BGA 的焊球、連接器的引腳或接觸端子等)是否位於同一個理想平面上的幾何公差或特性指標。
具體來說,當元件放置在完全平坦的基準面(如 PCB 表面)時,所有焊接點的最高點與最低點之間的最大高度差即為共面度值,這個數值通常被定義為公差(tolerance)。 例如,若規格要求 coplanarity ≤ 0.10 mm,則表示所有引腳或焊球的高度偏差不得超過 0.10 mm。
共面度(Coplanarity)對電子產品有何影響?
當電子產品出現有嚴重的共面度問題時,可能會造成下列品質問題:
1. 焊接品質與電氣連接可靠性
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開路(Open Circuit)風險:
若某些引腳或焊球因共面度太大而「浮起」,在回焊(reflow)過程中可能無法與PCB焊盤印刷的錫膏充分接觸,將導致少錫、冷焊(cold solder)或空焊,如果是 BGA、CSP、LGA 等零件,還可能形成 HIP (Head-in-Pillow) / HoP (Head-on-Pillow) 類焊錫不良。 -
短路( Solder Bridge)風險:
相鄰端子高度不一致可能使得零件本體傾斜,尤其是BGA封裝,然後擠壓錫膏溢流出焊墊,導致與相鄰焊墊橋接短路。但這種情況並不多見,BGA發生短路,大多是因為錫膏印刷量過多或不均勻溢流導致。
2. 電氣性能問題
共面度不佳容易造成焊點接觸不良(如冷焊、假焊或 HIP/HoP),進而衍生以下電氣問題:
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間歇性接觸不良(Intermittent Open):
焊點雖然表面看似導通,但實際上只是虛靠接觸。產線測試治具不一定能發現這類缺陷。一旦遇到溫度變化或震動,虛靠的焊點就可能分開,造成時通時斷的現象,使故障難以排查。
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訊號完整性劣化:
高頻、高速或 RF 訊號路徑的接觸阻抗可能升高,導致訊號傳遞延遲、反射、抖動或誤碼。 -
電源/地連接不穩:
大電流路徑若接觸不良,可能引起壓降、局部發熱或電源噪聲增加。
3. 製程與生產問題
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元件傾斜(Tilt):共面性差的焊點可能會使零件貼裝後傾斜,影響後續元件的放置精度與外觀。
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良率下降:尤其在細間距(0.5 mm 或 0.4mm pitch 以下)或高密度板上更明顯。
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重工率上升:有不良品就得重工,不良率升高就表示不良品變多,會增加成本與交期遞延(leadtime delay)。
4. 其他潛在問題
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應力集中:少數端子可能承受大部分重量與熱應力,加速疲勞失效。
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外觀不良:元件明顯傾斜或翹起,不符合外觀規範。
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後續製程影響:傾斜的元件可能影響點膠、底部填充膠(underfill)或蓋板安裝。
哪些電子零件可以且需要量測共面度(Coplanarity)?
原則上,只要電子零件的焊腳數 ≥ 4 根以上,才可以量測共面度。所以,BGA、CSP、LGA、QFP/SOP、4pin以上連接器、多腳被動元件(排阻、部分濾波器)都可以量測共面度。
另外,屏蔽罩(shielding can)及屏蔽框(shielding frame)也可以量測共面度。
只是,可以量測,不代表一定需要量測。一般我們都會依據經驗及實際操作需要,來列出需要管控共面度的零件,比如說尺寸較大的BGA及LGA通常都會被重點照顧,而某些容易出問題的QFP/OSP及多腳連接器也會被關照,尤其是連接器廠家的品質不一,須特別留意。
軟板(FPC)連接器的接觸彈片(contact spring)可以量測共面度(Coplanarity)嗎?
個人不建議管控FPC連接器接觸彈片(contact spring)的共面度(coplanarity),因為連接器的接觸彈片是可以上下活動的機構,如果擔心彈片的品質造成軟板(FPC)接觸不良,個人比較建議管控下面幾項參數:
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工作高度(working height / mating height):FPC 完全插入連接器並鎖緊後,FPC 表面金手指(或某基準)到連接器本體某參考面的高度。
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壓縮量(deflection / travel):從 free height(未接觸 FPC)到 working height(FPC完全插入後)之間的位移量。
- 接觸力(contact force / normal force):FPC 金手指與 contact spring 之間的正向壓力
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必要時再加上 保持力(retention force):FPC 插入並鎖緊後,需要多少軸向力才能把 FPC 拉出來。
網路上對共面度(Coplanarity)的誤解
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網路上常看到有人說片式零件(small chip components)也可以量測共面度,這通常是把『高度差』與『共面度』混淆了。這兩者最大的差異是,取用的基準面(datum)不同,高度差通常以封裝本體底部或是治具平面作為固定基準面;而共面度則會取用 3 根最高的端子(焊腳),以座平面(Seating Plane)法構成基準面。兩者基準面不同,量出來的結果也就不一樣。
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也有人把片式零件的整個底部表面當作量測對象,以為這樣就可以量出共面度,其實那樣量出來的結果,叫做 flatness (真平度、平面度、平坦度),而不是Coplanarity(共面度)。因為,2點成一線,3點成一面,4點以上才會有機會量測到共面度。
那LGA及QFN零件可以量測共面度嗎?
答案是可以。LGA (Land Grid Array) 封裝的底部端子是一排排獨立的金屬 land,只要取得最高的3點,就可以量測共面度。由於LGA封裝屬於無引腳封裝,再加上其尺寸通常比較大,基板只要稍有 warpage 風險,就會導致不同位置的 land 高度產生巨大差異。因此量測 LGA 的共面度並加以管控,確實有其必要性。在國際標準中,JEDEC 的 LGA package outline(例如 MO-303、MO-224 等)中也確實規定了 terminals 的 coplanarity 公差(常見最大值為 0.10 mm)。
QFN 也可以比照 LGA,只是比較少有人會針對 QFN 來管控共面度,原因是 QFN 的尺寸通常不大,本體發生嚴重翹曲的機會也不高。
如何量測共面度(Coplanarity)?

1. 高度規與厚薄規 (Feeler Gauge & Height Gauge)
一般比較簡單量測coplanarity的方法,將零件放置於極高平整度的花崗石大理石平台上,然後用厚薄規塞入懸空引腳下方,或以分厘卡高度規來量測。正常情況下,零件上最低的兩(零件本可能成為第3點)或三根引腳會與大理石平台接觸,形成基準平面,量測懸空最高的引腳底部距離大理石平面的距離,就是Coplanarity值。不過這樣量測的人為誤差比較大,而且這樣也通常只能做為GNG的判斷。此法無法量測BGA、LGA之類BTC零件。

2. 2D 側面投影 / 影樣測量 (Shadow Profiling / Optical Comparator)
透過平行光光源與側向鏡頭(或工具顯微鏡/投影儀),投射引腳或焊球側面影像,計算最底點與偏離點距離。如果是使用電子顯微放大鏡,要想辦法把零件直立起來檢查,或是訂做一個45度角的鏡子,利用鏡子反射來檢查。最好還得要有個大理石平臺搭配使用。此法操作相對直觀,無接觸傷害風險。只能量測外側一排引腳或邊緣焊球,內部陣列(如內圈 BGA)無法觀測。
透過平行光光源與側向鏡頭(或工具顯微鏡/投影儀),投射引腳或焊球側面影像,計算最底點與偏離點距離。如果是使用電子顯微放大鏡,要想辦法把零件直立起來檢查,或是訂做一個45度角的鏡子,利用鏡子反射來檢查。最好還得要有個大理石平臺搭配使用。此法操作相對直觀,無接觸傷害風險。只能量測外側一排引腳或邊緣焊球,內部陣列(如內圈 BGA)無法觀測。
3. 3D 光學/雷射掃描 (3D Optical / Laser Profile)
利用鐳射點/線鐳射或結構光(鐳射位移計、3D AOI)掃描零件底部,計算各點的高度差,並自動計算結果。此法高精度、非接觸式,可快速產出全域 Z 軸偏差地圖。但是設備成本高,適用於研發 FA 分析、進料檢驗(IQC)及線上自動化檢測。
量測時常見注意事項,例如:零件需清潔、避免人為施力變形、溫濕度影響等。
Coplanarity 基準面計算原則
計算 Coplanarity 時,業界通常採用座平面法(Seating Plane / 3-Point Plane):
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定義 Seating Plane: 找到零件底部最低的 3 個點(最先接觸 PCB 焊墊的 3 個支點),以此三點擬合出一個虛擬的參考平面。
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計算最大偏差(Max Gap): 計算所有其餘引腳/焊球距離該基準平面的垂直 Z 軸距離。
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判定標準: 最大距離即為該零件的 Coplanarity 值。一般 SMT 規範(如 JEDEC)通常要求 Coplanarity 不得超過 0.10 mm (4 mils) 或 0.12 mm,否則極易導致回焊後空焊。
如何解決電子零件Coplanarity過大問題?
請參考另一篇文章:如何解決電子零件 Coplanarity 過大問題?或如何克服 Coplanarity 過大問題?
延伸閱讀:
- PCBA屏蔽框罩空焊假焊的解決措施?
- 牛頓環是什麼?從觸控螢幕到光學檢測的科學原理
- 什麼是紅銅、純銅、青銅、黃銅、白銅、生銅、熟銅?
- 屏蔽框(Shielding frame)在PCBA的設計與生產注意事項
- 什麼是洋白銅?洋白銅屏蔽框蓋為什麼會異色變黃?洋白銅黃變後會影響到功能嗎?
- 電子遷移(electromigration, EM)及電子化學遷移(electrochemical migration, ECM)有何差異?
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